Členovia riešiteľského kolektívu:
RNDr. Stanislav JUREČKA, PhD., hlavný riešiteľ, Elektrotechnická
fakulta ŽU, Žilina
doc. Ing. Igor JAMNICKÝ, CSc., Elektrotechnická fakulta
ŽU, Žilina
Ing. Miroslav ĎULÍK, PhD., Elektrotechnická fakulta ŽU,
Žilina
RNDr. Róbert MENKYNA, CSc., Elektrotechnická fakulta ŽU,
Žilina
RNDr. Peter HOCKICKO, PhD., Elektrotechnická fakulta ŽU,
Žilina
Ing. Libor LADÁNYI, Elektrotechnická fakulta ŽU, Žilina
RNDr. Emil PINČÍK, CSc., Fyzikálny ústav SAV, Bratislava
doc. RNDr. Mária JUREČKOVÁ, PhD., Matematický ústav SAV,
Bratislava
prof. Ing. Ján MUDROŇ, CSc., Akadémia ozbrojených síl gen.
M. R. Štefánika, Liptovský Mikuláš
|
Ciele projektu:
Polovodičovo-dielektrické (p/d) systémy s ultratenkou
oxidovou vrstvou (kvantové efekty, silné polia). Teoretický model vývoja
mikroštruktúry, nábojových stavov, transportných procesov a optických vlastností
p/d rozhraní. Experimentálny výskum morfológie rozhraní NAOS SiO2/Si systémov.
Štatistický a multifraktálový model morfológie. Experimentálny výskum vývoja
distribúcie Q stavov (kvantový a semiklasický model, C-V, I-V, DLTS). Experimentálny
výskum optických vlastností (multivrstvové štruktúry). Numerické algoritmy
(konštrukcia a riešenie teoretických modelov, optimalizácia voči experimentálnym
údajom, extrakcia parametrov, multiparametrická analýzy). Vytvorenie platformy
pre riešenie p/d systémov (experiment a metódy). |
